The Boolean equation of NOR gate is 

(1) C = A + B

(2) $\mathrm{C}=\overline{\mathrm{A}+\mathrm{B}}$ 

(3) $C=A·B$ 

(4) $\mathrm{C}=\overline{\mathrm{A}.\mathrm{B}}$

NOR गेट का बूलियन समीकरण ज्ञात कीजिए:

(1) C = A + B

(2) $\mathrm{C}=\overline{\mathrm{A}+\mathrm{B}}$ 

(3) $C=A·B$

(4) $\mathrm{C}=\overline{\mathrm{A}.\mathrm{B}}$

A transistor is used as an amplifier in CB mode with a load resistance of 5 k$\mathrm{\Omega }$. The current gain of the amplifier is 0.98 and the input resistance is 70 $\mathrm{\Omega }$, the voltage gain and power gain respectively are :
(a) 70, 68.6                          (b) 80, 75.6
(c) 60, 66.6                          (d) 90, 96.6

5 k$\Omega$ के प्रतिरोध के साथ एक ट्रांजिस्टर CB विन्यास में प्रवर्धक के रूप में उपयोग किया जाता है। प्रवर्धक का धारा लाभ 0.98 है और निवेशी प्रतिरोध 70$\mathrm{\Omega }$ है, वोल्टेज लाभ और शक्ति लाभ क्रमशः हैं:
(a) 70, 68.6                (b) 80, 75.6
(c) 60, 66.6                 (d) 90, 96.6

For a transistor, in a common emitter arrangement, the alternating current gain $\mathrm{\beta }$ is given by

(a) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{c}}}{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{B}}}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$                       (b) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_B}{∆{\mathrm{I}}_C}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$

(c) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{c}}}{∆{\mathrm{I}}_E}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$                       (d) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_E}{∆{\mathrm{I}}_C}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$

ट्रांजिस्टर के लिए, उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में, प्रत्यावर्ती धारा लाभ $\mathrm{\beta }$ को किसके द्वारा दर्शाया जाता है?

(a) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{c}}}{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{B}}}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$             (b) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_B}{∆{\mathrm{I}}_C}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$

(c) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{c}}}{∆{\mathrm{I}}_E}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$             (d) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_E}{∆{\mathrm{I}}_C}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$

In the case of forward biasing of PN-junction, which one of the following figures correctly depicts the direction of flow of carriers

PN-संधि के अग्र अभिनत स्थिति में, निम्न में से कौन-सा एक आवेश वाहकों के प्रवाह की दिशा को उपयुक्त रूप से दर्शाता है?

The energy band gap of Si is

(1) 0.70 eV

(2) 1.1 eV

(3) Between 0.70 eV to 1.1 eV

(4) 5 eV

Si का ऊर्जा बैंड अंतराल ज्ञात कीजिए:

(1) 0.70 eV

(2) 1.1 eV

(3) 0.70 eV से 1.1 eV के मध्य

(4) 5 eV

When Ge crystals are doped with phosphorus atom, then it becomes 

(1) Insulator

(2) P-type

(3) N-type

(4) Superconductor

जब Ge क्रिस्टल् को फॉस्फोरस परमाणु से अपमिश्रित किया जाता है, तब यह बन जाता है:

(1) अचालक

(2) P-प्रकार

(3) N-प्रकार

(4) अतिचालक

A 2V battery is connected across the points A and B as shown in the figure given below. Assuming that the resistance of each diode is zero in forward bias and infinity in reverse bias, the current supplied by the battery when its positive terminal is connected to A is 

(a) 0.2 A
(b) 0.4 A
(c) Zero
(d) 0.1 A

एक 2V बैटरी A और B से जुड़ी हुई है जैसा कि नीचे दिए गए चित्र में दिखाया गया है। यह मानते हुए कि प्रत्येक डायोड का प्रतिरोध अग्र अभिनत में शून्य है और उत्क्रम अभिनत में अनन्त है, बैटरी द्वारा की जाने वाली धारा की आपूर्ति जब इसका धनात्मक टर्मिनल A से जुड़ा होता है, है:

(a) 0.2 A
(b) 0.4 A
(c) शून्य
(d) 0.1 A

Which one of the following statements is not correct

(a) A diode does not obey Ohm's law

(b) A PN junction diode symbol shows an arrow identifying the direction of current (forward) flow

(c) An ideal diode is an open switch

(d) An ideal diode is an ideal one way conductor

निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही नहीं है?

(a) डायोड ओम के नियम का पालन नहीं करता है। 

(b) PN संन्धि डायोड प्रतीक एक तीर को दर्शाता है, जो धारा (अग्र) प्रवाह की दिशा को दर्शाता है।

(b) आदर्श डायोड एक खुला स्विच होता है।

(d) एक आदर्श डायोड, एक आदर्श एकदिशीय चालक है।

The barrier potential of a p-n junction depends on

(i)type of semiconductor material

(ii)amount of doping

(iii)temperature

Which one of the following is correct

1. (i) and (ii)only

2. (ii) only

3. (ii) and (iii)only

4. (i),(ii) and (iii)

p-n संधि का प्राचीर विभव निम्नलिखित पर निर्भर करता है:

(i) अर्धचालक पदार्थ के प्रकार

(ii) अपमिश्रण की मात्रा

(iii) तापमान

निम्नलिखित में से कौन-सा सत्य है?

1. केवल (i) और (ii) 

2. केवल (ii) 

3. केवल (ii) और (iii) 

4. (i), (ii) और (iii)

Avalanche breakdown is due to 

(a) Collision of minority charge carrier

(b) Increase in depletion layer thickness

(c) Decrease in depletion layer thickness

(d) None of these

ऐवलांश भंजन किसके कारण होता है?

(a) अल्पसंख्यक आवेश वाहक के संघट्ट के कारण 

(b) अवक्षय परत की मोटाई में वृद्धि के कारण 

(c) अवक्षय परत की मोटाई में कमी के कारण

(d) इनमें से कोई नहीं