Avalanche breakdown is due to 

(a) Collision of minority charge carrier

(b) Increase in depletion layer thickness

(c) Decrease in depletion layer thickness

(d) None of these

ऐवलांश भंजन किसके कारण होता है?

(a) अल्पसंख्यक आवेश वाहक के संघट्ट के कारण 

(b) अवक्षय परत की मोटाई में वृद्धि के कारण 

(c) अवक्षय परत की मोटाई में कमी के कारण

(d) इनमें से कोई नहीं

Regarding a semiconductor which one of the following is wrong 

(a) There are no free electrons at room temperature

(b) There are no free electrons at 0 K

(c) The number of free electrons increases with rise of temperature

(d) The charge carriers are electrons and holes

अर्धचालक के संबंध में निम्न में से कौन-सा एक कथन असत्य है?

(a) कक्ष तापमान पर कोई मुक्त इलेक्ट्रॉन नहीं होते हैं।

(b) 0K पर कोई मुक्त इलेक्ट्रॉन नहीं होते हैं।

(c) तापमान में वृद्धि के साथ मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या बढ़ती है।

(d) आवेश वाहक इलेक्ट्रॉन और कोटर होते हैं।

To obtain a P-type germanium semiconductor, it must be doped with 

(1) Arsenic

(2) Antimony

(3) Indium

(4) Phosphorus

P-प्रकार जर्मेनियम अर्धचालक प्राप्त करने के लिए, इसे किसके साथ अपमिश्रित किया जाना चाहिए?

(1) आर्सेनिक

(2) ऐन्टिमनी

(3) इंडियम

(4) फॉस्फोरस

The electrical conductivity of a semiconductor

(1) Decreases with the rise in its temperature

(2) Increases with the rise in its temperature

(3) Does not change with the rise in its temperature

(4) First increases and then decreases with the rise in its temperature

किसी अर्धचालक की विद्युत चालकता:

(1) इसके तापमान में वृद्धि के साथ घटती है।

(2) इसके तापमान में वृद्धि के साथ बढ़ती है।

(3) इसके तापमान में वृद्धि के साथ परिवर्तित नहीं होती है।

(4) तापमान में वृद्धि के साथ पहले बढ़ती है और फिर घटती है।

The emitter-base junction of a transistor is …… biased while the collector-base junction is ……. biased

(a) Reverse, forward                        (b) Reverse, reverse
(c) Forward, forward                        (d) Forward, reverse

ट्रांजिस्टर की उत्सर्जक आधार संधि ……...अभिनत होती है, जबकि संग्राहक आधार संधि ……. अभिनत होती है। 

(a) उत्क्रमित, अग्र            (b) अग्र, उत्क्रमित
(c) अग्र, अग्र                  (d) अग्र, उत्क्रमित

Energy bands in solids are a consequence of

(1) Ohm’s Law

(2) Pauli’s exclusion principle

(3) Bohr’s theory

(4) Heisenberg’s uncertainty principle

ठोस पदार्थों में ऊर्जा बैंड किसका परिणाम है?

(1) ओम नियम 

(2) पाउली अपवर्जन नियम

(3) बोर सिद्धान्त 

(4) हाइजेनबर्ग अनिश्चितता सिद्धांत

What will be the input of A and B for the Boolean expression $\overline{\left(\mathrm{A}+\mathrm{B}\right)}·\left(\overline{\mathrm{A}·\mathrm{B}}\right)=1$

(1) 0, 0

(2) 0, 1

(3) 1, 0

(4) 1, 1

बूलियन व्यंजक $\overline{\left(\mathrm{A}+\mathrm{B}\right)}·\left(\overline{\mathrm{A}·\mathrm{B}}\right)=1$ के लिए A और B का निवेशी क्या होगा? 

1) 0, 0

(2) 0, 1

(3) 1, 0

(4) 1, 1

To obtain electrons as majority charge carriers in a semiconductor, the impurity mixed is 
(a) Monovalent          (b) Divalent
(c) Trivalent               (d) Pentavalent

अर्धचालक में बहुसंख्यक आवेश वाहकों के रूप में इलेक्ट्रॉनों को प्राप्त करने के लिए, किस प्रकार का अपद्रव्य मिलाया जाता है?

(a) एकसंयोजी                (b) द्विसंयोजी

(c) त्रिसंयोजी                  (d) पंचसंयोजी

At room temperature, a P-type semiconductor has

(a) Large number of holes and few electrons
(b) Large number of free electrons and few holes
(c) Equal number of free electrons and holes
(d) No electrons or holes

कक्ष तापमान पर, P-प्रकार अर्धचालक में क्या होता है?

(a) अधिक संख्या में कोटर और कुछ इलेक्ट्रॉन

(b) अधिक संख्या में मुक्त इलेक्ट्रॉन और कुछ कोटर

(c) मुक्त इलेक्ट्रॉनों और कोटरों की समान संख्या                        

(d) कोई इलेक्ट्रॉन या कोटर नहीं

An N-type semiconductor is

(1) Negatively charged

(2) Positively charged

(3) Neutral

(4) None of these

N-प्रकार अर्धचालक कैसा होता है?

(1) ऋणावेशित

(2) धनावेशित

(3) उदासीन

(4) इनमें से कोई नहीं