For a transistor, in a common emitter arrangement, the alternating current gain $\mathrm{\beta }$ is given by

(a) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{c}}}{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{B}}}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$                       (b) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_B}{∆{\mathrm{I}}_C}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$

(c) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{c}}}{∆{\mathrm{I}}_E}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$                       (d) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_E}{∆{\mathrm{I}}_C}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$

ट्रांजिस्टर के लिए, उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में, प्रत्यावर्ती धारा लाभ $\mathrm{\beta }$ को किसके द्वारा दर्शाया जाता है?

(a) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{c}}}{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{B}}}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$             (b) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_B}{∆{\mathrm{I}}_C}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$

(c) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_{\mathrm{c}}}{∆{\mathrm{I}}_E}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$             (d) $\mathrm{\beta }={\left(\frac{∆{\mathrm{I}}_E}{∆{\mathrm{I}}_C}\right)}_{{\mathrm{V}}_{\mathrm{C}}}$

In the case of forward biasing of PN-junction, which one of the following figures correctly depicts the direction of flow of carriers

PN-संधि के अग्र अभिनत स्थिति में, निम्न में से कौन-सा एक आवेश वाहकों के प्रवाह की दिशा को उपयुक्त रूप से दर्शाता है?

The energy band gap of Si is

(1) 0.70 eV

(2) 1.1 eV

(3) Between 0.70 eV to 1.1 eV

(4) 5 eV

Si का ऊर्जा बैंड अंतराल ज्ञात कीजिए:

(1) 0.70 eV

(2) 1.1 eV

(3) 0.70 eV से 1.1 eV के मध्य

(4) 5 eV

When Ge crystals are doped with phosphorus atom, then it becomes 

(1) Insulator

(2) P-type

(3) N-type

(4) Superconductor

जब Ge क्रिस्टल् को फॉस्फोरस परमाणु से अपमिश्रित किया जाता है, तब यह बन जाता है:

(1) अचालक

(2) P-प्रकार

(3) N-प्रकार

(4) अतिचालक

A 2V battery is connected across the points A and B as shown in the figure given below. Assuming that the resistance of each diode is zero in forward bias and infinity in reverse bias, the current supplied by the battery when its positive terminal is connected to A is 

(a) 0.2 A
(b) 0.4 A
(c) Zero
(d) 0.1 A

एक 2V बैटरी A और B से जुड़ी हुई है जैसा कि नीचे दिए गए चित्र में दिखाया गया है। यह मानते हुए कि प्रत्येक डायोड का प्रतिरोध अग्र अभिनत में शून्य है और उत्क्रम अभिनत में अनन्त है, बैटरी द्वारा की जाने वाली धारा की आपूर्ति जब इसका धनात्मक टर्मिनल A से जुड़ा होता है, है:

(a) 0.2 A
(b) 0.4 A
(c) शून्य
(d) 0.1 A

Which one of the following statements is not correct

(a) A diode does not obey Ohm's law

(b) A PN junction diode symbol shows an arrow identifying the direction of current (forward) flow

(c) An ideal diode is an open switch

(d) An ideal diode is an ideal one way conductor

निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही नहीं है?

(a) डायोड ओम के नियम का पालन नहीं करता है। 

(b) PN संन्धि डायोड प्रतीक एक तीर को दर्शाता है, जो धारा (अग्र) प्रवाह की दिशा को दर्शाता है।

(b) आदर्श डायोड एक खुला स्विच होता है।

(d) एक आदर्श डायोड, एक आदर्श एकदिशीय चालक है।

The barrier potential of a p-n junction depends on

(i)type of semiconductor material

(ii)amount of doping

(iii)temperature

Which one of the following is correct

1. (i) and (ii)only

2. (ii) only

3. (ii) and (iii)only

4. (i),(ii) and (iii)

p-n संधि का प्राचीर विभव निम्नलिखित पर निर्भर करता है:

(i) अर्धचालक पदार्थ के प्रकार

(ii) अपमिश्रण की मात्रा

(iii) तापमान

निम्नलिखित में से कौन-सा सत्य है?

1. केवल (i) और (ii) 

2. केवल (ii) 

3. केवल (ii) और (iii) 

4. (i), (ii) और (iii)

Avalanche breakdown is due to 

(a) Collision of minority charge carrier

(b) Increase in depletion layer thickness

(c) Decrease in depletion layer thickness

(d) None of these

ऐवलांश भंजन किसके कारण होता है?

(a) अल्पसंख्यक आवेश वाहक के संघट्ट के कारण 

(b) अवक्षय परत की मोटाई में वृद्धि के कारण 

(c) अवक्षय परत की मोटाई में कमी के कारण

(d) इनमें से कोई नहीं

Regarding a semiconductor which one of the following is wrong 

(a) There are no free electrons at room temperature

(b) There are no free electrons at 0 K

(c) The number of free electrons increases with rise of temperature

(d) The charge carriers are electrons and holes

अर्धचालक के संबंध में निम्न में से कौन-सा एक कथन असत्य है?

(a) कक्ष तापमान पर कोई मुक्त इलेक्ट्रॉन नहीं होते हैं।

(b) 0K पर कोई मुक्त इलेक्ट्रॉन नहीं होते हैं।

(c) तापमान में वृद्धि के साथ मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या बढ़ती है।

(d) आवेश वाहक इलेक्ट्रॉन और कोटर होते हैं।

To obtain a P-type germanium semiconductor, it must be doped with 

(1) Arsenic

(2) Antimony

(3) Indium

(4) Phosphorus

P-प्रकार जर्मेनियम अर्धचालक प्राप्त करने के लिए, इसे किसके साथ अपमिश्रित किया जाना चाहिए?

(1) आर्सेनिक

(2) ऐन्टिमनी

(3) इंडियम

(4) फॉस्फोरस