A p-n photodiode is made of a material with a band gap of 2.0 eV. The minimum frequency of the radiation that can be absorbed by the material is nearly

1. $10\times {10}^{14} Hz$                              2. $5\times {10}^{14} Hz$

3. $1\times {10}^{14} Hz$                                4. $20\times {10}^{14} Hz$

p-n फोटोडायोड 2.0 eV बैंड अंतराल के पदार्थ से निर्मित किया जाता है। विकरण की वह न्यूनतम आवृत्ति लगभग कितनी है, जिसे पदार्थ द्वारा अवशोषित किया जा सकता है?

1. $10\times {10}^{14} Hz$               2.  $5\times {10}^{14} Hz$

3. $1\times {10}^{14} Hz$                 4.  $20\times {10}^{14} Hz$

In a PN-junction diode 

1. The current in the reverse biased condition is generally very small

2. The current in the reverse biased condition is small but the forward biased current is independent of the bias voltage

3. The reverse biased current is strongly dependent on the applied bias voltage

4. The forward biased current is very small in comparison to reverse biased current

PN-संधि डायोड में:

1. उत्क्रमित अभिनत स्थिति में धारा सामान्यतः बहुत छोटी होती है।

2. उत्क्रमित अभिनत स्थिति में धारा छोटी होती है परन्तु अग्र अभिनत धारा, अभिनति वोल्टता से स्वतंत्र होती है।

3. उत्क्रमित अभिनत धारा, आरोपित अभिनति वोल्टता पर अधिक निर्भर करती है।

4. उत्क्रमित अभिनत धारा की तुलना में अग्र अभिनत धारा बहुत छोटी होती है।

In the depletion region of an unbiased P-N junction diode there are

(a) Only electrons

(b) Only holes

(c) Both electrons and holes

(d) Only fixed ions

अनभिनत P-N संधि डायोड के अवक्षय क्षेत्र में क्या उपस्थित होते हैं?

(a) केवल इलेक्ट्रॉन

(b) केवल कोटर

(c) इलेक्ट्रॉन और कोटर दोनों

(d) केवल आबद्ध आयन

A semiconductor device is connected in a series circuit with a battery and a resistance. A current is found to pass through the circuit. If the polarity of the battery is reversed, the current drops almost to zero. The device may be

(a) A P-type semiconductor                (b) An N-type semiconductor
(c) A PN-junction                               (d) An intrinsic semiconductor

अर्धचालक युक्ति को एक बैटरी और एक प्रतिरोध के साथ श्रेणी क्रम परिपथ में जोड़ा गया है। पाया जाता है कि परिपथ में धारा प्रवाहित होती है। यदि बैटरी की ध्रुवता उत्क्रमित की जाती है, धारा लगभग शून्य तक घट जाती है। युक्ति कौन सी हो सकती है?

(a) P-प्रकार का अर्धचालक              (b) N-प्रकार का अर्धचालक
(c) PN-संधि                             (d) नैज अर्धचालक

The cause of the potential barrier in a P-N diode is

(a) Depletion of positive charges near the junction

(b) Concentration of positive charges near the junction

(c) Depletion of negative charges near the junction

(d) Concentration of positive and negative charges near the junction

P-N डायोड में विभव प्राचीर किसका कारण है -

(a) संधि के निकट धनायनों का ह्रास

(b) संधि के निकट धनायनों का सांद्रण

(c) संधि के निकट ऋणायनों का ह्रास

(d) संधि के निकट धनायनों और ऋणायनों का सांद्रण

In a PN-junction diode not connected to any circuit

(a) The potential is the same everywhere

(b) The P-type is at higher potential than the N-type side

(c) There is an electric field at the junction directed from the N- type side to the P- type side

(d) There is an electric field at the junction directed from the P-type side to the N-type side

यदि PN-संधि डायोड किसी भी परिपथ से जुड़ा नहीं है, तब:

(a) सभी जगह विभव समान होता है।

(b) N-प्रकार सिरे की तुलना में P-प्रकार उच्च विभव पर है।

(c) संधि पर विद्युत क्षेत्र N-प्रकार सिरे से P-प्रकार सिरे की ओर निर्देशित है।

(d) संधि पर विद्युत क्षेत्र P-प्रकार सिरे से N-प्रकार सिरे की ओर निर्देशित है।

Which of the following statements is not true

(a) The resistance of intrinsic semiconductors decrease with increase of temperature

(b) Doping pure with trivalent impurities give P-type semiconductors

(c) The majority carriers in N-type semiconductors are holes

(d) A PN-junction can act as a semiconductor diode

निम्नलिखित कथनों में से कौन सा सत्य नहीं है?

(a) आंतरिक अर्धचालकों का प्रतिरोध तापमान बढ़ने के साथ घटता है।

(b) त्रिसंयोजक अशुद्धियों के साथ शुद्ध अपमिश्रित p-प्रकार अर्धचालक बनाता है।

(c) N-प्रकार के अर्धचालक में बहुसंख्यक वाहक कोटर होते हैं।

(d) PN-संधि अर्धचालक डायोड के रूप में कार्य कर सकता है।

Which one is in forward bias

निमनिखित में से कौन-सा एक अग्र अभिनत में है?

A semiconductor X is made by doping a germanium crystal with arsenic (Z = 33). A second semiconductor Y is made by doping germanium with indium (Z = 49). The two are joined end to end and connected to a battery as shown. Which of the following statements is correct

(a) X is P-type, Y is N-type and the junction is forward biased

(b) X is N-type, Y is P-type and the junction is forward biased

(c) X is P-type, Y is N-type and the junction is reverse biased

(d) X is N-type, Y is P-type and the junction is reverse biased

अर्धचालक X का निर्माण आर्सेनिक (Z = 33) के साथ जर्मेनियम क्रिस्टल को अपमिश्रित करके किया जाता है। एक दूसरे अर्धचालक Y का निर्माण इंडियम (Z = 49) के साथ जर्मेनियम को अपमिश्रित करके किया जाता है। दोनों को दर्शाए गए अनुसार एक सिरे से दूसरे सिरे तक और बैटरी से जोड़ा गया हैं। निम्नलिखित कथनों में से कौन-सा सही है?

(a) X, P-प्रकार का है, Y, N-प्रकार का है और संधि अग्र अभिनत है।

(b) X, N-प्रकार का है, Y, P-प्रकार का है और संधि अग्र अभिनत है।

(c) X, P-प्रकार का है, Y, N-प्रकार का है और संधि उत्क्रमित अभिनत है।

(d) X, N-प्रकार का है, Y, P-प्रकार का है और संधि उत्क्रमित अभिनत है। 

A diode having potential difference 0.5 V across its junction which does not depend on current, is connected in series with resistance of 20 $\mathrm{\Omega }$ across source. If 0.1 A passes through resistance then what is the voltage of the source

(a) 1.5 V                     (b) 2.0 V
(c) 2.5 V                     (d) 5 V

एक डायोड जिसकी संधि पर विभवांतर 0.5 V है जो धारा पर निर्भर नहीं करता है, 20 $\mathrm{\Omega }$ के प्रतिरोध के साथ स्त्रोत से श्रेणीक्रम में जुड़ा हुआ है। यदि 0.1 A प्रतिरोध से गुजरती है तो स्रोत का वोल्टेज क्या है?

(a) 1.5 V             (b) 2.0 V
(c) 2.5 V             (d) 5 V