A diode having potential difference 0.5 V across its junction which does not depend on current, is connected in series with resistance of 20 $\mathrm{\Omega }$ across source. If 0.1 A passes through resistance then what is the voltage of the source

(a) 1.5 V                     (b) 2.0 V
(c) 2.5 V                     (d) 5 V

एक डायोड जिसकी संधि पर विभवांतर 0.5 V है जो धारा पर निर्भर नहीं करता है, 20 $\mathrm{\Omega }$ के प्रतिरोध के साथ स्त्रोत से श्रेणीक्रम में जुड़ा हुआ है। यदि 0.1 A प्रतिरोध से गुजरती है तो स्रोत का वोल्टेज क्या है?

(a) 1.5 V             (b) 2.0 V
(c) 2.5 V             (d) 5 V

In an NPN transistor circuit, the collector current is 10 mA. If 90% of the electrons emitted reach the collector, the emitter current (${\mathrm{i}}_{\mathrm{E}}$) and base current (${\mathrm{i}}_{\mathrm{B}}$) are given by 
(a) ${\mathrm{i}}_{\mathrm{E}}$ = –1 mA, ${\mathrm{i}}_{\mathrm{B}}$ = 9 mA
(b) ${\mathrm{i}}_{\mathrm{E}}$ = 9 mA, ${\mathrm{i}}_{\mathrm{B}}$ = – 1 mA
(c) ${\mathrm{i}}_{\mathrm{E}}$ = 1 mA, ${\mathrm{i}}_{\mathrm{B}}$ = 11 mA
(d) ${\mathrm{i}}_{\mathrm{E}}$ = 11 mA, ${\mathrm{i}}_{\mathrm{B}}$ = 1 mA

एक NPN ट्रांजिस्टर परिपथ में, संग्राहक धारा 10 mA है। यदि उत्सर्जित इलेक्ट्रॉनों का 90% संग्राहक तक पहुंच जाता है, तो उत्सर्जक धारा (${\mathrm{i}}_{\mathrm{E}}$) और आधार धारा (${\mathrm{i}}_{\mathrm{B}}$) निम्न द्वारा दी गई हैं:
(a) ${\mathrm{i}}_{\mathrm{E}}$ = –1 mA, ${\mathrm{i}}_{\mathrm{B}}$ = 9 mA
(b) ${\mathrm{i}}_{\mathrm{E}}$= 9mA ,${\mathrm{i}}_{\mathrm{B}}$ = – 1 mA
(c) ${\mathrm{i}}_{\mathrm{E}}$= 1mA ,${\mathrm{i}}_{\mathrm{B}}$= 11mA
(d) ${\mathrm{i}}_{\mathrm{E}}$= 11mA ,${\mathrm{i}}_{\mathrm{B}}$ = 1 mA

The relation between $\mathrm{\alpha }$ and $\mathrm{\beta }$ parameters of current gains for a transistors is given by

(a) $\mathrm{\alpha }=\frac{\mathrm{\beta }}{1-\mathrm{\beta }}$                (b) $\mathrm{\alpha }=\frac{\mathrm{\beta }}{1+\mathrm{\beta }}$

(c) $\mathrm{\alpha }=\frac{1-\mathrm{\beta }}{\mathrm{\beta }}$                (d) $\mathrm{\alpha }=\frac{1+\mathrm{\beta }}{\mathrm{\beta }}$

एक ट्रांजिस्टर के लिए $\mathrm{\alpha }$ और $\mathrm{\beta }$ के बीच का संबंध किस प्रतिबन्ध द्वारा दिया जाता है?

(a) $\mathrm{\alpha }=\frac{\mathrm{\beta }}{1-\mathrm{\beta }}$                 (b) $\mathrm{\alpha }=\frac{\mathrm{\beta }}{1+\mathrm{\beta }}$

(c) $\mathrm{\alpha }=\frac{1-\mathrm{\beta }}{\mathrm{\beta }}$                  (d) $\mathrm{\alpha }=\frac{1+\mathrm{\beta }}{\mathrm{\beta }}$

A truth table is given below. Which of the following has this type of truth table 

A  0  1  0  1
B  0  0  1  1
y  1  0  0  0

(1) XOR gate

(2) NOR gate

(3) AND gate

(4) OR gate

निम्नवत एक सत्यता सारणी दी गई है। निम्न में से किस में इस प्रकार की सत्यता सारणी है?

A  0 1 0 1 
B  0 0 1 1 
Y  1 0 0 0 

 (1) XOR गेट

(2) NOR गेट

(3) AND गेट

(4) OR गेट

In an insulator, the forbidden energy gap between the valence band and conduction band is of the order of

(1) 1  MeV

(2)  0.1 MeV

(3) 1 eV 

(4) 15 eV

विद्युतरोधी में, संयोजी बैंड और चालन बैंड के बीच वर्जित ऊर्जा अंतराल किस कोटि का है?

(1) 1  MeV

(2)  0.1 MeV

(3) 1 eV 

(4) 15 eV

To obtain a P-type Si semiconductor, we need to dope pure Si with 

(1) Aluminium

(2) Phosphorous

(3) Oxygen

(4) Germanium

P-प्रकार Si अर्धचालक प्राप्त करने के लिए, हमें शुद्ध Si को किसके साथ अपमिश्रित करने की आवश्यकता होती है? 

(1) ऐलुमिनियम

(2) फॉस्फोरस

(3) ऑक्सीजन

(4) जर्मेनियम

Let ${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$ and ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ be the number of holes and conduction electrons respectively in a semiconductor. Then

(a) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$>${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ in an intrinsic semiconductor

(b) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$=${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ in an extrinsic semiconductor

(c) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$=${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ in an intrinsic semiconductor

(d) ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$<${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$ in an intrinsic semiconductor

माना ${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$ और ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$एक अर्धचालक में क्रमशः कोटरों और चालन इलेक्ट्रॉनों की संख्या हैं। तब

(a) एक नैज अर्धचालक में ${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$>${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$

(b) एक बाह्य अर्धचालक में ${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$=${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ 

(c) एक नैज अर्धचालक में ${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$=${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$ 

(d) एक आंतरिक अर्धचालक में ${\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$<${\mathrm{n}}_{\mathrm{P}}$ 

The forbidden energy bandgap in conductors, semiconductors, and insulators are ${\mathrm{EG}}_1,{\mathrm{EG}}_{2 }\mathrm{and} {\mathrm{EG}}_3$ and respectively. The relation among them is

(1) ${\mathrm{EG}}_1={\mathrm{EG}}_{2 }={\mathrm{EG}}_3$

(2) ${\mathrm{EG}}_1<{\mathrm{EG}}_{2 }<{\mathrm{EG}}_3$

(3) ${\mathrm{EG}}_1>{\mathrm{EG}}_{2 }>{\mathrm{EG}}_3$ 

(4) ${\mathrm{EG}}_1<{\mathrm{EG}}_{2 }>{\mathrm{EG}}_3$

चालक, अर्धचालक और अचालक में वर्जित ऊर्जा बैंड अंतराल क्रमशः ${\mathrm{EG}}_1,{\mathrm{EG}}_{2 }\text{और} {\mathrm{EG}}_3$ हैं। उनके बीच संबंध है:

(1) ${\mathrm{EG}}_1={\mathrm{EG}}_{2 }={\mathrm{EG}}_3$

(2) ${\mathrm{EG}}_1<{\mathrm{EG}}_{2 }<{\mathrm{EG}}_3$

(3) ${\mathrm{EG}}_1>{\mathrm{EG}}_{2 }>{\mathrm{EG}}_3$

(4) ${\mathrm{EG}}_1<{\mathrm{EG}}_{2 }>{\mathrm{EG}}_3$

In extrinsic P and N-type, semiconductor materials, the ratio of the impurity atoms to the pure semiconductor atoms is about 
(a) 1                   (b) ${10}^{-1}$
(c) ${10}^{-4}$              (d) ${10}^{-7}$

P और N-प्रकार अपद्रव्यी अर्धचालक पदार्थों में, अपद्रव्य परमाणुओं से शुद्ध अर्धचालक परमाणुओं का अनुपात लगभग है:

(a) 1

(b) ${10}^{-1}$

(c) ${10}^{-4}$

(d) ${10}^{-7}$

A pure semiconductor behaves slightly as a conductor at

(a) Room temperature             (b) Low temperature
(c) High temperature               (d) Both (b) and (c)

किस ताप पर एक शुद्ध अर्धचालक, थोड़ा चालक के रूप में व्यवहार करता है?

(a) कक्ष ताप                (b) निम्न ताप 
(c) उच्च ताप                (d) (b) और (c) दोनों