Zener breakdown in a semi-conductor diode occurs when

(a) Forward current exceeds certain value

(b) Reverse bias exceeds certain value

(c) Forward bias exceeds certain value

(d) Potential barrier is reduced to zero

अर्धचालक डायोड में जेनर भंजन कब होता है?

(a) अग्र विधुत धारा निश्चित मान से अधिक है।

(b) उत्क्रम अभिनत निश्चित मान से अधिक है।

(c) अग्र अभिनत निश्चित मान से अधिक है।

(d) विभव प्राचीर शून्य तक घटता है।

The peak voltage in the output of a half-wave diode rectifier fed with a sinusoidal signal without filter is 10 V. The dc component of the output voltage is 
(a)$10/\sqrt{2}$  V                                    (b) $10/\mathrm{\pi }$ V
(c) 10 V                                            (d) $20/\mathrm{\pi }$ V

निस्पंदन के बिना एक अर्द्ध तरंग डायोड दिष्टकारी के निर्गत में ज्यावक्रीय संकेत के साथ उच्च वोल्टेज 10 V आपूर्ति की जाती है। निर्गत वोल्टता का दिष्ट धारा घटक है:

(a)$10/\sqrt{2}$V      (b) $10/\mathrm{\pi }$ V
(c) 10 V            (d) $20/\mathrm{\pi }$ V

The diagram of a logic circuit is given below. The output F of the circuit is represented by

(a) W(X+Y)
(b) W.(X.Y)
(c) W+(X.Y)
(d) W+(X+Y)

एक लॉजिक परिपथ का आरेख नीचे दिया गया है। परिपथ का निर्गत F किसके द्वारा दर्शाया गया है?

(a) W(X+Y)
(b) W। (X। Y)
(c) W+(X.Y)
(d) W+(X+Y)

Which one of the following represents forward biased circuit?

1. 

2. 

3. 

4. 

निम्नलिखित में से कौन अग्र अभिनत परिपथ का निरूपण करता है?

1. 

2. 

3. 

4. 

The electrical resistance of depletion layer is large because

1. It has no charge carriers

2. It has a large number of charge carriers

3. It contains electrons as charge carriers

4. It has holes as charge carriers

अवक्षय परत का विद्युत प्रतिरोध बड़ा है क्योंकि

1. इसमें कोई आवेश वाहक नहीं हैं

2. इसमें बड़ी संख्या में आवेश वाहक होते हैं

3. इसमें आवेश वाहक के रूप में इलेक्ट्रॉन होते हैं

4. इसमें आवेश वाहक के रूप में कोटर होते हैं

A potential barrier of 0.50 V exists across a P-N junction. If the depletion region is $5.0\times {10}^{-7}$m wide, the intensity of the electric field in this region is 
(a) $1.0\times {10}^6 \mathrm{V}/\mathrm{m}$                      (b) $1.0\times {10}^5 \mathrm{V}/\mathrm{m}$
(c) $2.0\times {10}^5 \mathrm{V}/\mathrm{m}$                      (d) $2.0\times {10}^6 \mathrm{V}/\mathrm{m}$

P-N संधि के सिरों पर 0.50 V का एक विभव प्राचीर स्थित है। यदि अवक्षय क्षेत्र $5.0\times {10}^{-7}$m चौड़ा है, तो इस क्षेत्र में विद्युत क्षेत्र की तीव्रता है:
(a) $1.0\times {10}^6 \mathrm{V}/\mathrm{m}$       (b) $1.0\times {10}^5 \mathrm{V}/\mathrm{m}$
(c) $2.0\times {10}^5 \mathrm{V}/\mathrm{m}$       (d) $2.0\times {10}^6 \mathrm{V}/\mathrm{m}$

If the lattice parameter for a crystalline structure is $3.6 \stackrel{0}{A},$ then the atomic radius in fcc crystal is

(a) $1.81 \stackrel{0}{A}$                                  (b) $2.10 \stackrel{0}{A}$

(c) $2.92 \stackrel{0}{A}$                                (d) $1.27 \stackrel{0}{A}$

यदि क्रिस्टलीय संरचना के लिए जालक प्राचल $3.6 \stackrel{0}{A}$ है, तो fcc क्रिस्टल में परमाणु त्रिज्या है:

(a) $1.81 \stackrel{0}{A}$                   (b) $2.10 \stackrel{0}{A}$

(c) $2.92 \stackrel{0}{A}$                   (d) $1.27 \stackrel{0}{A}$

The reason of current flow in P-N junction in forward bias is

(a) Drifting of charge carriers

(b) Minority charge carriers

(c) Diffusion of charge carriers

(d) All of these

 अग्र अभिनत में P-N संधि में धारा प्रवाह का कारण है

(a) आवेश वाहकों का अपवाह

(b) अल्पसंख्यक आवेश वाहक

(c) आवेश वाहकों का विसरण 

(d) ये सभी

For a transistor the parameter $\mathrm{\beta }$ = 99. The value of the parameter $\mathrm{\alpha }$ is

(a) 0.9                 (b) 0.99
(c) 1                    (d) 9

एक ट्रांजिस्टर के लिए प्राचल $\mathrm{\beta }$= 99 है। प्राचल $\mathrm{\alpha }$ का मान है:

(a) 0.9             (b) 0.99
(c) 1                (d) 9

Given below are four logic gate symbol (figure). Those for OR, NOR and NAND are respectively 

(a) 1, 4, 3                     (b) 4, 1, 2
(c) 1, 3, 4                     (d) 4, 2, 1

नीचे दिए गए चार लॉजिक गेट प्रतीक (आरेख) हैं। OR, NOR और NAND के लिए क्रमशः हैं

(a) 1, 4, 3            (b) 4, 1, 2
(c) 1, 3, 4            (d) 4, 2, 1