A potential barrier of 0.50 V exists across a P-N junction. If the depletion region is $5.0\times {10}^{-7}$m wide, the intensity of the electric field in this region is 
(a) $1.0\times {10}^6 \mathrm{V}/\mathrm{m}$                      (b) $1.0\times {10}^5 \mathrm{V}/\mathrm{m}$
(c) $2.0\times {10}^5 \mathrm{V}/\mathrm{m}$                      (d) $2.0\times {10}^6 \mathrm{V}/\mathrm{m}$

P-N संधि के सिरों पर 0.50 V का एक विभव प्राचीर स्थित है। यदि अवक्षय क्षेत्र $5.0\times {10}^{-7}$m चौड़ा है, तो इस क्षेत्र में विद्युत क्षेत्र की तीव्रता है:
(a) $1.0\times {10}^6 \mathrm{V}/\mathrm{m}$       (b) $1.0\times {10}^5 \mathrm{V}/\mathrm{m}$
(c) $2.0\times {10}^5 \mathrm{V}/\mathrm{m}$       (d) $2.0\times {10}^6 \mathrm{V}/\mathrm{m}$

If the lattice parameter for a crystalline structure is $3.6 \stackrel{0}{A},$ then the atomic radius in fcc crystal is

(a) $1.81 \stackrel{0}{A}$                                  (b) $2.10 \stackrel{0}{A}$

(c) $2.92 \stackrel{0}{A}$                                (d) $1.27 \stackrel{0}{A}$

यदि क्रिस्टलीय संरचना के लिए जालक प्राचल $3.6 \stackrel{0}{A}$ है, तो fcc क्रिस्टल में परमाणु त्रिज्या है:

(a) $1.81 \stackrel{0}{A}$                   (b) $2.10 \stackrel{0}{A}$

(c) $2.92 \stackrel{0}{A}$                   (d) $1.27 \stackrel{0}{A}$

The reason of current flow in P-N junction in forward bias is

(a) Drifting of charge carriers

(b) Minority charge carriers

(c) Diffusion of charge carriers

(d) All of these

 अग्र अभिनत में P-N संधि में धारा प्रवाह का कारण है

(a) आवेश वाहकों का अपवाह

(b) अल्पसंख्यक आवेश वाहक

(c) आवेश वाहकों का विसरण 

(d) ये सभी

For a transistor the parameter $\mathrm{\beta }$ = 99. The value of the parameter $\mathrm{\alpha }$ is

(a) 0.9                 (b) 0.99
(c) 1                    (d) 9

एक ट्रांजिस्टर के लिए प्राचल $\mathrm{\beta }$= 99 है। प्राचल $\mathrm{\alpha }$ का मान है:

(a) 0.9             (b) 0.99
(c) 1                (d) 9

Given below are four logic gate symbol (figure). Those for OR, NOR and NAND are respectively 

(a) 1, 4, 3                     (b) 4, 1, 2
(c) 1, 3, 4                     (d) 4, 2, 1

नीचे दिए गए चार लॉजिक गेट प्रतीक (आरेख) हैं। OR, NOR और NAND के लिए क्रमशः हैं

(a) 1, 4, 3            (b) 4, 1, 2
(c) 1, 3, 4            (d) 4, 2, 1

Bonding is a germanium crystal (semi-conductor) is

(1) Metallic

(2) Ionic

(3) Vander Waal's type

(4) Covalent

एक जर्मेनियम क्रिस्टल (अर्ध चालक) में आबंध है:

(1) धात्विक                         (2) आयनिक
(3) वान्डर वाल्स समीकरण        (4) सहसंयोजक

The following truth table corresponds to the logic gate

A  0  0  1  1
B  0  1  0  1
X  0  1  1  1

(a) NAND                     (b) OR
(c) AND                        (d) XOR

निम्न सत्यता सारणी किस लॉजिक गेट के सम्पाती है?
A  0  0  1  1
B  0  1  0  1
X  0  1  1  1

(a) NAND                      (b) OR
(c) AND                        (d) XOR

For the given combination of gates, if the logic states of inputs A, B, C are as follows A = B = C = 0 and A = B = 1, C = 0 then the logic states of output D are

(1) 0, 0

(2) 0, 1

(3) 1, 0

(4) 1, 1

गेटों के दिए गए संयोजन के लिए, यदि A, B, C की लॉजिक स्थितियाँ A= B = C = 0 और A = B = 1, C = 0 तब निर्गत D की लॉजिक स्थिति है:

(1) 0, 0
(2) 0, 1
(3) 1,0
(4) 1, 1

In NPN transistor the collector current is 10 mA. If 90% of electrons emitted reach the collector, then

(a) Emitter current will be 9 mA
(b) Emitter current will be 11.1 mA
(c) Base current will be 0.1 mA
(d) Base current will be 0.01 mA

NPN ट्रांजिस्टर में संग्राहक धारा 10 mA है। यदि उत्सर्जित 90% इलेक्ट्रॉन संग्राहक तक पहुंचते हैं, तो

(a) उत्सर्जक धारा 9 mA होगी
(b) उत्सर्जक धारा 11.1 mA होगी
(c) आधार धारा 0.1 mA होगी
(d) आधार धारा 0.01 mA होगी

If A and B are two inputs in AND gate, then AND gate has an output of 1 when the values of A and B are

(1) A = 0, B = 0

(2) A = 1, B = 1

(3) A = 1, B = 0 

(4) A = 0, B = 1

यदि A और B, AND गेट के दो निवेशी हैं, तो AND गेट का निर्गत 1 हो तो A और B के मान है:

(1) A = 0, B = 0

(2) A = 1, B = 1

(3) A = 1, B = 0 

(4) A = 0, B = 1