Donor type impurity is found in 
(a) Trivalent elements       (b) Pentavalent elements
(c) In both the above        (d) None of these

दाता प्रकार के अपद्रव्य में पाया जाता है:

(a) त्रिसंयोजक तत्व

(b) पंचसंयोजक तत्व

(c) उपरोक्त दोनों में

(d) इनमें से कोई नहीं

In P-type semiconductor, the majority and minority charge carriers are respectively

(1) Protons and electrons

(2) Electrons and protons

(3) Electrons and holes

(4) Holes and electrons

P-प्रकार अर्धचालक में ,बहुसंख्यक और अल्पसंख्यक आवेश वाहक क्रमशः हैं

(1) प्रोटॉन और इलेक्ट्रॉन

(2) इलेक्ट्रॉन और प्रोटॉन

(3) इलेक्ट्रॉन और कोटर

(4) कोटर और इलेक्ट्रॉन

In semiconductors at a room temperature 

(a) The valence band is partially empty and the conduction band is partially filled

(b) The valence band is completely filled and the conduction band is partially filled

(c) The valence band is completely filled

(d) The conduction band is completely empty

एक कमरे के तापमान पर अर्धचालकों में

(a)  संयोजी बैंड आंशिक रूप से खाली है और चालन बैंड आंशिक रूप से भरा हुआ है

(b) संयोजी बैंड पूरी तरह से भरा हुआ है और चालन बैंड आंशिक रूप से भरा हुआ है

(c) संयोजी बैंड पूरी तरह से भरा हुआ है

(d) चालन बैंड पूरी तरह से खाली है

The temperature coefficient of resistance of a semiconductor

(1) Is always positive

(2) Is always negative

(3) Is zero

(4) Maybe positive or negative or zero

एक अर्धचालक के प्रतिरोध का ताप गुणांक

(a) सदैव धनात्मक है

(b) हमेशा ऋणात्मक होता है

(c) शून्य है

(d) धनात्मक या ऋणात्मक या शून्य हो सकता है

For germanium crystal, the forbidden energy gap in joules is

(a) $1.12\times {10}^{-19}$         (b) $1.76\times {10}^{-19}$
(c)  $1.6\times {10}^{-19}$          (d) Zero

जर्मेनियम क्रिस्टल के लिए, जूल में वर्जित ऊर्जा अंतराल है:

(a) $1.12\times {10}^{-19}$     (b) $1.76\times {10}^{-19}$

(c)  $1.6\times {10}^{-19}$      (d) शून्य

Zener breakdown in a semi-conductor diode occurs when

(a) Forward current exceeds certain value

(b) Reverse bias exceeds certain value

(c) Forward bias exceeds certain value

(d) Potential barrier is reduced to zero

अर्धचालक डायोड में जेनर भंजन कब होता है?

(a) अग्र विधुत धारा निश्चित मान से अधिक है।

(b) उत्क्रम अभिनत निश्चित मान से अधिक है।

(c) अग्र अभिनत निश्चित मान से अधिक है।

(d) विभव प्राचीर शून्य तक घटता है।

The peak voltage in the output of a half-wave diode rectifier fed with a sinusoidal signal without filter is 10 V. The dc component of the output voltage is 
(a)$10/\sqrt{2}$  V                                    (b) $10/\mathrm{\pi }$ V
(c) 10 V                                            (d) $20/\mathrm{\pi }$ V

निस्पंदन के बिना एक अर्द्ध तरंग डायोड दिष्टकारी के निर्गत में ज्यावक्रीय संकेत के साथ उच्च वोल्टेज 10 V आपूर्ति की जाती है। निर्गत वोल्टता का दिष्ट धारा घटक है:

(a)$10/\sqrt{2}$V      (b) $10/\mathrm{\pi }$ V
(c) 10 V            (d) $20/\mathrm{\pi }$ V

The diagram of a logic circuit is given below. The output F of the circuit is represented by

(a) W(X+Y)
(b) W.(X.Y)
(c) W+(X.Y)
(d) W+(X+Y)

एक लॉजिक परिपथ का आरेख नीचे दिया गया है। परिपथ का निर्गत F किसके द्वारा दर्शाया गया है?

(a) W(X+Y)
(b) W। (X। Y)
(c) W+(X.Y)
(d) W+(X+Y)

Which one of the following represents forward biased circuit?

1. 

2. 

3. 

4. 

निम्नलिखित में से कौन अग्र अभिनत परिपथ का निरूपण करता है?

1. 

2. 

3. 

4. 

The electrical resistance of depletion layer is large because

1. It has no charge carriers

2. It has a large number of charge carriers

3. It contains electrons as charge carriers

4. It has holes as charge carriers

अवक्षय परत का विद्युत प्रतिरोध बड़ा है क्योंकि

1. इसमें कोई आवेश वाहक नहीं हैं

2. इसमें बड़ी संख्या में आवेश वाहक होते हैं

3. इसमें आवेश वाहक के रूप में इलेक्ट्रॉन होते हैं

4. इसमें आवेश वाहक के रूप में कोटर होते हैं