In a semiconducting material, the mobilities of electrons and holes are ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$ and ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$ respectively. Which of the following is true?
(a) ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$>${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$               (b)  ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$<${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$
(c)  ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$= ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$             (d)  ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$<0; ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$>0

अर्धचालकीय पदार्थ में, इलेक्ट्रॉनों और कोटरों की गतिशीलता क्रमशः ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$ और ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$ है। निम्नलिखित में से कौन-सा सत्य है?
(a) ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$>${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$                 (b) ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$<${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$
(c)  ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$= ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$               (d) ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$<0; ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$>0

For the transistor circuit shown below, if $\mathrm{\beta }$ = 100, voltage drop between emitter and base is 0.7 V, then value of ${\mathrm{V}}_{\mathrm{CE}}$ will be :

1. 10 V
2. 5 V
3. 13 V
4. 0 V

निम्नवत दर्शाए गए ट्रांजिस्टर परिपथ के लिए, यदि $\mathrm{\beta }$= 100, उत्सर्जक और आधार के बीच विभव पतन 0.7 V है, तब ${\mathrm{V}}_{\mathrm{CE}}$ का मान कितना होगा?

1. 10 V
2. 5 V
3. 13 V
4. 0 V

The current through an ideal p-n junction diode shown in the circuit will be -

1.  5 A

2.  0.2 A 

3.  0.6 A

4.  Zero

परिपथ में दर्शाए गए आदर्श p-n संधि डायोड में धारा की गणना कीजिए।

1.  5 A

2. 0.2 A

3. 0.6 A

4. शून्य 

$\mathrm{In} \mathrm{the} \mathrm{given} \mathrm{circuit} \mathrm{power}$
$\mathrm{developed} \mathrm{in} 1\mathrm{k\Omega } \mathrm{resistor} \mathrm{is}$

1.  36 mW

2.  12 mW

3.  144 mW

4.  64 mW

दिए गए परिपथ में $1 \mathrm{k\Omega }$ प्रतिरोधक में उत्पन्न शक्ति है:

1. 36 mW

2. 12 mW

3. 144 mW

4. 64 mW

The diode shown in the circuit is a silicon diode. The potential difference between the points A and B will be

(a) 6 V

(b) 0.6 V

(c) 0.7 V

(d) 0 V

परिपथ में दर्शाया गया डायोड एक सिलिकॉन डायोड है। बिंदु A और B के मध्य विभवांतर कितना होगा?

(a) 6 V

(b) 0.6 V

(c) 0.7 V

(d) 0 V

In a common base amplifier the phase difference between the input signal voltage and the output voltage is

(a) 0                      (b) $\mathrm{\pi }/4$

(c)$\mathrm{\pi }/2$                   (d) $\mathrm{\pi }$

उभयनिष्ठ आधार प्रवर्धक में निवेशी सिग्नल वोल्टेज और निर्गत वोल्टेज के मध्य कलांतर की गणना कीजिए:

(a) 0                  (b) $\mathrm{\pi }/4$

(c) $\mathrm{\pi }/2$              (d) $\mathrm{\pi }$

The transfer ratio of a transistor is 50. The input resistance of the transistor when used in the common-emitter configuration is 1 K$\mathrm{\Omega }$. The peak value for an A.C input voltage of 0.01 V peak is 
(a) 100 $\mathrm{\mu }$A                        (b) 0.01 mA
(c) 0.25 mA                       (d) 500 $\mathrm{\mu }$A

ट्रांजिस्टर का परिणमन अनुपात 50 है। उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में उपयोग किए जाने पर ट्रांजिस्टर का निवेशी प्रतिरोध 1K$\mathrm{\Omega }$ है। 0.01 V के अधिकतम मान की प्रत्यावर्ती निवेशी वोल्टता के लिए प्रत्यावर्ती संग्राहक धारा का अधिकतम मान ज्ञात कीजिए।
(a) 100 $\mu$A                        (b) 0.01 mA
(c) 0.25 mA                       (d) 500 $\mu$A

In the following circuit, find ${\mathrm{I}}_1$ and ${\mathrm{I}}_2$.

(a) 0, 0
(b) 5 mA, 5 mA
(c) 5 mA, 0
(d) 0, 5 mA

निम्नलिखित परिपथ में, ${\mathrm{I}}_1$ और ${\mathrm{I}}_2$ ज्ञात कीजिए:

(a) 0, 0
(b) 5 mA, 5 mA
(c) 5 mA, 0
(d) 0.5 mA

The cut-in voltage for silicon diode is approximately

(a) 0.2 V                       (b) 0.6 V
(c) 1.1 V                       (d) 1.4 V

सिलिकॉन डायोड के लिए भंजक वोल्टता लगभग है:

(a) 0.2 V             (b) 0.6 V
(c) 1.1 V             (d) 1.4 V

The curve between charge density and distance near P-N junction will be

1. 

2. 

3. 

4. 

P-N संधि के निकट आवेश घनत्व और दूरी के बीच का वक्र कौन-सा होगा?

1. 

2. 

3. 

4.