The current through an ideal p-n junction diode shown in the circuit will be -

                                       

1.  5 A

2.  0.2 A 

3.  0.6 A

4.  Zero

परिपथ में दर्शाए गए आदर्श p-n संधि डायोड में धारा की गणना कीजिए।

1.  5 A

2. 0.2 A

3. 0.6 A

4. शून्य 

$\mathrm{In} \mathrm{the} \mathrm{given} \mathrm{circuit} \mathrm{power}$
$\mathrm{developed} \mathrm{in} 1\mathrm{k\Omega } \mathrm{resistor} \mathrm{is}$

1.  36 mW

2.  12 mW

3.  144 mW

4.  64 mW

दिए गए परिपथ में $1 \mathrm{k\Omega }$ प्रतिरोधक में उत्पन्न शक्ति है:

1. 36 mW

2. 12 mW

3. 144 mW

4. 64 mW

The diode shown in the circuit is a silicon diode. The potential difference between the points A and B will be

(a) 6 V

(b) 0.6 V

(c) 0.7 V

(d) 0 V

परिपथ में दर्शाया गया डायोड एक सिलिकॉन डायोड है। बिंदु A और B के मध्य विभवांतर कितना होगा?

(a) 6 V

(b) 0.6 V

(c) 0.7 V

(d) 0 V

In a common base amplifier the phase difference between the input signal voltage and the output voltage is

(a) 0                      (b) $\mathrm{\pi }/4$

(c)$\mathrm{\pi }/2$                   (d) $\mathrm{\pi }$

उभयनिष्ठ आधार प्रवर्धक में निवेशी सिग्नल वोल्टेज और निर्गत वोल्टेज के मध्य कलांतर की गणना कीजिए:

(a) 0                  (b) $\mathrm{\pi }/4$

(c) $\mathrm{\pi }/2$              (d) $\mathrm{\pi }$

The transfer ratio of a transistor is 50. The input resistance of the transistor when used in the common-emitter configuration is 1 K$\mathrm{\Omega }$. The peak value for an A.C input voltage of 0.01 V peak is 
(a) 100 $\mathrm{\mu }$A                        (b) 0.01 mA
(c) 0.25 mA                       (d) 500 $\mathrm{\mu }$A

ट्रांजिस्टर का परिणमन अनुपात 50 है। उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में उपयोग किए जाने पर ट्रांजिस्टर का निवेशी प्रतिरोध 1K$\mathrm{\Omega }$ है। 0.01 V के अधिकतम मान की प्रत्यावर्ती निवेशी वोल्टता के लिए प्रत्यावर्ती संग्राहक धारा का अधिकतम मान ज्ञात कीजिए।
(a) 100 $\mu$A                        (b) 0.01 mA
(c) 0.25 mA                       (d) 500 $\mu$A

In the following circuit, find ${\mathrm{I}}_1$ and ${\mathrm{I}}_2$.

(a) 0, 0
(b) 5 mA, 5 mA
(c) 5 mA, 0
(d) 0, 5 mA

निम्नलिखित परिपथ में, ${\mathrm{I}}_1$ और ${\mathrm{I}}_2$ ज्ञात कीजिए:

(a) 0, 0
(b) 5 mA, 5 mA
(c) 5 mA, 0
(d) 0.5 mA

The cut-in voltage for silicon diode is approximately

(a) 0.2 V                       (b) 0.6 V
(c) 1.1 V                       (d) 1.4 V

सिलिकॉन डायोड के लिए भंजक वोल्टता लगभग है:

(a) 0.2 V             (b) 0.6 V
(c) 1.1 V             (d) 1.4 V

The curve between charge density and distance near P-N junction will be

1. 

2. 

3. 

4. 

P-N संधि के निकट आवेश घनत्व और दूरी के बीच का वक्र कौन-सा होगा?

1. 

2. 

3. 

4. 

The valency of the impurity atom that is to be added to germanium crystal so as to make it an N-type semiconductor, is

(1) 6

(2) 5

(3) 4

(4) 3

अपमिश्रित परमाणु की संयोजकता ज्ञात कीजिए, जिसे जर्मेनियम क्रिस्टल में मिलाने पर इसे N-प्रकार अर्धचालक बनाया जा सकता है।

(1) 6

(2) 5

(3) 4

(4) 3

The valence of an impurity added to germanium crystal in order to convert it into a P-type semiconductor is

(1) 6

(2) 5

(3) 4

(4) 3

जर्मेनियम क्रिस्टल को p-प्रकार अर्धचालक में परिवर्तित करने के लिए कितनी संयोजकता के अपद्रव्य को मिलाया जाता है?

(1) 6

(2) 5

(3) 4

(4) 3