When a p-n junction is forward biased:

1.  Depletion region becomes thick

2.  p-side is at a higher potential than n side

3.  Current flowing is zero

4.  Effective resistance is of the order of ${10}^6\mathrm{W}$

जब p-n संधि अग्र अभिनत होता है:

1. अवक्षय क्षेत्र मोटा हो जाता है।

2. p-क्षेत्र, n क्षेत्र की तुलना में उच्च विभव पर है।

3. धारा प्रवाह शून्य है।

4. प्रभावी प्रतिरोध ${10}^6\mathrm{W}$ कोटि का है।

When a transistor is used as a switch it is in:

1.  Active state

2.  Cut off state

3.  Saturation state

4.  Both cut off state and saturation state are possible

जब ट्रांजिस्टर का उपयोग स्विच के रूप में किया जाता है, तब यह किस अवस्था में होता है?

1. सक्रिय अवस्था

2. भंजन अवस्था

3. संतृप्ति अवस्था

4. भंजन अवस्था और संतृप्ति अवस्था दोनों संभव हैं।

In semiconductors, which of the following gives the law of mass action (where symbols have their usual meanings)-

1.  ${\mathrm{n}}_1 = {\mathrm{n}}_{\mathrm{e}} = {\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$

2.  ${{\mathrm{n}}_{\mathrm{i}}}^2 = {\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}{\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$

3.  ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}} >> {\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$

4.  ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}} << {\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$

अर्धचालकों में, निम्नलिखित में से कौन-सा द्रव्यमान प्रतिक्रिया के नियम (जहां चिन्हों के अपने सामान्य अर्थ हैं) को दर्शाता है? 

1.  ${\mathrm{n}}_1 = {\mathrm{n}}_{\mathrm{e}} = {\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$

2.  ${{\mathrm{n}}_{\mathrm{i}}}^2 = {\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}{\mathrm{n}}_{\mathrm{h}}$

3.  ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}} >> {\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$

4.  ${\mathrm{n}}_{\mathrm{h}} << {\mathrm{n}}_{\mathrm{e}}$

 If ${\mathrm{l}}_1$, ${\mathrm{l}}_2$, ${\mathrm{l}}_3$ are the lengths of the emitter, base and collector of a transistor then 
(a)${\mathrm{l}}_1$= ${\mathrm{l}}_2$ = ${\mathrm{l}}_3$                   (b) ${\mathrm{l}}_3$ <${\mathrm{l}}_2$> ${\mathrm{l}}_1$
(c) ${\mathrm{l}}_3$<  ${\mathrm{l}}_1$ < ${\mathrm{l}}_2$                 (d) ${\mathrm{l}}_3$> ${\mathrm{l}}_1$>${\mathrm{l}}_2$

यदि ${\mathrm{l}}_1$, ${\mathrm{l}}_2$, ${\mathrm{l}}_3$ उत्सर्जक, आधार और संग्राहक की लंबाई है, तब -
(a)${\mathrm{l}}_1$= ${\mathrm{l}}_2$ = ${\mathrm{l}}_3$           (b) ${\mathrm{l}}_3$ <${\mathrm{l}}_2$> ${\mathrm{l}}_1$
(c) ${\mathrm{l}}_3$<  ${\mathrm{l}}_1$ < ${\mathrm{l}}_2$         (d) ${\mathrm{l}}_3$> ${\mathrm{l}}_1$>${\mathrm{l}}_2$

GaAs is 

(a) Element semiconductor

(b) Alloy semiconductor

(c) Bad conductor

(d) Metallic semiconductor

GaAs क्या है? 

(a) तत्व अर्धचालक

(b) मिश्रधातु अर्धचालक

(c) कुचालक

(d) धात्विक अर्धचालक

The phase difference between input and output voltages of a CE circuit is 

(a) 0$°$                          (b) 90$°$ 
(c) 180$°$                       (d) 270$°$ 

CE परिपथ के निवेश और निर्गत वोल्टेज के मध्य कलांतर की गणना कीजिए:

(a) 0$°$                   (b) 90$°$ 
(c) 180$°$                (d) 270$°$ 

Choose the correct statement

(a) When we heat a semiconductor its resistance increases
(b) When we heat a semiconductor its resistance decreases
(c) When we cool a semiconductor to 0 K then it becomes super conductor
(d) Resistance of a semiconductor is independent of temperature

सही कथन का चयन कीजिए:

(a) जब हम किसी अर्धचालक को गर्म करते हैं, तो इसका प्रतिरोध बढ़ता है।
(b) जब हम किसी अर्धचालक को गर्म करते हैं, तो इसका प्रतिरोध घटता है।
(c) जब हम किसी अर्धचालक को 0 K तक ठंडा करते हैं, तो यह अतिचालक बन जाता है।
(d) अर्धचालक का प्रतिरोध तापमान से स्वतंत्र होता है।

Which of the energy band diagrams shown in the figure corresponds to that of a semiconductor

1. 

2. 

3. 

4. 

आरेख में दर्शाए गए ऊर्जा बैंड आरेखों में से कौन-सा अर्धचालक के संगत है?

1. 

2. 

3. 

4. 

In a semiconducting material, the mobilities of electrons and holes are ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$ and ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$ respectively. Which of the following is true?
(a) ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$>${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$               (b)  ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$<${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$
(c)  ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$= ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$             (d)  ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$<0; ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$>0

अर्धचालकीय पदार्थ में, इलेक्ट्रॉनों और कोटरों की गतिशीलता क्रमशः ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$ और ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$ है। निम्नलिखित में से कौन-सा सत्य है?
(a) ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$>${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$                 (b) ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$<${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$
(c)  ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$= ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$               (d) ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{e}}$<0; ${\mathrm{\mu }}_{\mathrm{h}}$>0

For the transistor circuit shown below, if $\mathrm{\beta }$ = 100, voltage drop between emitter and base is 0.7 V, then value of ${\mathrm{V}}_{\mathrm{CE}}$ will be :

1. 10 V
2. 5 V
3. 13 V
4. 0 V

निम्नवत दर्शाए गए ट्रांजिस्टर परिपथ के लिए, यदि $\mathrm{\beta }$= 100, उत्सर्जक और आधार के बीच विभव पतन 0.7 V है, तब ${\mathrm{V}}_{\mathrm{CE}}$ का मान कितना होगा?

1. 10 V
2. 5 V
3. 13 V
4. 0 V