The variation of anode current in a triode corresponding to a change in grid potential at three different values of the plate potential is shown in the diagram. The mutual conductance of the triode is 

           

(a) 2.5 m mho      (b) 5.0 m mho
(c) 7.5 m mho      (d) 10.0 m mho

तीन अलग-अलग मान पर ग्रिड विभव में परिवर्तन के अनुरूप एक ट्रायोड में एनोड धारा के परिवर्तन को आरेख के रूप में दिखाया गया है। ट्रायोड का अन्योन्य चालकत्व है:

(a) 2.5 m mho     (b) 5.0 m mho
(c) 7.5 m mho     (d) 10.0 m mho

The energy band diagrams for three semiconductor samples of silicon are as shown. We can then assert that

(a) Sample X is undoped while samples Y and Z have been doped with a third group and a fifth group impurity respectively
(b) Sample X is undoped while both samples Y and Z have been doped with a fifth group impurity
(c) Sample X has been doped with equal amounts of third and fifth group impurities while samples Y and Z are undoped
(d) Sample X is undoped while samples Y and Z have been doped with a fifth group and a third group impurity respectively

सिलिकॉन के तीन अर्द्धचालक प्रतिदर्श के लिए ऊर्जा बैंड आरेख दिखाए गए हैं। हम कह सकते हैं कि:

(a) प्रतिदर्श X अपमिश्रित नहीं है जबकि नमूने Y और Z को क्रमशः तीसरे समूह और पांचवें समूह की अशुद्धता के साथ मिश्रित किया गया है।
(b) प्रतिदर्श X अपमिश्रित नहीं है जबकि Y और Z दोनों नमूनों को क्रमशः पांचवें समूह की अशुद्धता के साथ मिश्रित किया गया है
(c) प्रतिदर्श X को तीसरे और पांचवें समूह की अशुद्धियों की समान मात्रा में मिश्रित किया गया है जबकि नमूने Y और Z अपमिश्रित नहीं हैं
(d) प्रतिदर्श X अपमिश्रित नहीं है जबकि नमूने Y और Z को पांचवें समूह और तीसरे समूह की अशुद्धता के साथ बंद किया गया है

The probability of electrons to be found in the conduction band of an intrinsic semiconductor at a finite temperature

(a) Decreases exponentially with increasing band gap
(b) Increases exponentially with increasing band gap
(c) Decreases with increasing temperature
(d) Is independent of the temperature and the band gap

एक परिमित तापमान पर एक नैज अर्धचालक के चालन बैंड में इलेक्ट्रॉनों के पाए जाने की प्रायिकता

(a) बैंड अंतराल बढ़ने के साथ चरघातांकी रूप से घटती है
(b) बैंड अंतराल बढ़ने के साथ चरघातांकी रूप से बढ़ती है
(c) बढ़ते तापमान के साथ घटती है
(d) तापमान और बैंड अंतराल से स्वतंत्र है

The junction diode in the following circuit requires a minimum current of 1 mA to be above the knee point (0.7 V) of its I-V characteristic curve. The voltage across the diode is independent of current above the knee point. If ${\mathrm{V}}_{\mathrm{B}}$ = 5 V, then the maximum value of R so that the voltage is above the knee point, will be

(a) 4.3 k$\mathrm{\Omega }$                 (b) 860 k$\mathrm{\Omega }$

(c) 4.3 $\mathrm{\Omega }$                   (d) 860 $\mathrm{\Omega }$

निम्नलिखित परिपथ में संधि डायोड को इसके I-V अभिलाक्षणिक वक्र के जानु बिंदु (0.7 V) से ऊपर होने के लिए 1 mA की न्यूनतम धारा की आवश्यकता होती है। डायोड के सिरों पर वोल्टता जानु बिंदु से अधिक धारा से स्वतंत्र है। यदि ${\mathrm{V}}_{\mathrm{B}}$= 5 V है, तो R का अधिकतम मान इस प्रकार कि वोल्टता जानु बिंदु से अधिक है, होगा:

(a) 4.3 k$\mathrm{\Omega }$          (b) 860 k$\mathrm{\Omega }$

(c) 4.3 $\mathrm{\Omega }$            (d) 860 रु$\mathrm{\Omega }$

In the circuit given below, V(t) is the sinusoidal voltage source, voltage drop ${\mathrm{V}}_{\mathrm{AB}}$(t) across the resistance R is

(a) Is half wave rectified
(b) Is full wave rectified
(c) Has the same peak value in the positive and negative half cycles
(d) Has different peak values during positive and negative half cycle

नीचे दिए गए परिपथ में, ज्यावक्रीय वोल्टेज स्रोत V(t) है, प्रतिरोध में विभव पतन ${\mathrm{V}}_{\mathrm{AB}}$(t) है:

(a) अर्द्ध तरंग दिष्टकृत है
(b) पूर्ण तरंग दिष्टकृत है
(c) धनात्मक और ऋणात्मक अर्ध चक्र में समान शिखर मान होता है
(d) धनात्मक और ऋणात्मक अर्ध चक्र के दौरान अलग-अलग शिखर मान होते हैं

The circuit shown in the following figure contains two diode ${\mathrm{D}}_1$ and ${\mathrm{D}}_2$ each with a forward resistance of 50 ohms and with infinite backward resistance. If the battery voltage is 6 V, the current through the 100 ohm resistance (in amperes) is

(a) Zero                     (b) 0.02
(c) 0.03                     (d) 0.036

निम्नलिखित आकृति में दिखाए गए परिपथ में दो डायोड ${\mathrm{D}}_1$ और ${\mathrm{D}}_2$ जिनमें प्रत्येक का अग्र प्रतिरोध 50 ओम और पश्च प्रतिरोध अनंत है। यदि बैटरी वोल्टेज 6V है, 100 ओम प्रतिरोध (एम्पियर में) के माध्यम से धारा है:

(a) शून्य                                  (b) 0.02
(c) 0.03                                (d) 0.036

The contribution in the total current flowing through a semiconductor due to electrons and holes are $\frac{3}{4}$ and $\frac{1}{4}$ respectively. If the drift velocity of electrons is $\frac{5}{2}$ times that of holes at this temperature, then the ratio of concentration of electrons and holes is
1. 6 : 5                 

2. 5 : 6

3. 3 : 2                 

4. 2 : 3

इलेक्ट्रॉनों और कोटरों के कारण एक अर्धचालक के माध्यम से बहने वाली कुल धारा में क्रमशः $\frac{3}{4}$ और $\frac{1}{4}$ का योगदान है। यदि इलेक्ट्रॉनों का अपवाह वेग इस तापमान पर कोटरों के अपवाह वेग का $\frac{5}{2}$ गुना है, तो इलेक्ट्रॉनों और कोटरों की सांद्रता का अनुपात है:

(1) 6: 5

(2) 5: 6

(3) 3: 2

(4) 2: 3

Figure gives a system of logic gates. From the study of truth table it can be found that to produce a high output (1) at R, we must have

(a) X = 0, Y = 1
(b) X = 1, Y = 1
(c) X = 1, Y = 0
(d) X = 0, Y = 0

आरेख लॉजिक गेट की प्रणाली दर्शाता है। सत्यता सारणी के अध्ययन से यह पाया जा सकता है कि R पर उच्च निर्गत (1) प्राप्त करने के लिए, हमें प्राप्त होना चाहिए:

(a) X = 0, Y = 1
(b) X = 1, Y = 1
(c) X = 1, Y = 0
(d) X = 0, Y = 0

A transistor is operated in common emitter configuration at ${\mathrm{V}}_{\mathrm{c}} = 10\mathrm{V}.$ When base current is changed from 10mA to 30mA, it produces a change in emitter current from 2A to 4A, the current amplification factor is

1.  100

2.  99

3.  10

4.  9

एक ट्रांजिस्टर उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में ${\mathrm{V}}_{\mathrm{c}} = 10\mathrm{V}$ पर संचालित किया जाता है। जब आधार धारा को 10mA से 30mA में परिवर्तित किया जाता है, तब यह उत्सर्जक धारा में 2A से 4A का परिवर्तन उत्पन्न करता है। धारा प्रवर्धन कारक है

1. 100

2. 99

3. 10

4. 9

An LED is constructed from a p-n junction diode using GaAsP. The energy gap is 1.9 eV. The wavelength of the light emitted will be equal to:

1. 10.4 $\times {10}^{-26}m$

2. 654 nm

3. 654 m

4. 654 $\times {10}^{-11}m$

GaAsP का उपयोग करके एक p-n संधि डायोड से एक LED का निर्माण किया जाता है। ऊर्जा का अंतर 1.9 eV है। उत्सर्जित प्रकाश की तरंग दैर्ध्य इसके बराबर होगी:

1. 10.4 $\times {10}^{-26}m$

2. 654 एनएम

3. 654 m

4. 654 $\times {10}^{-11}m$