In forward biasing of the p-n junction 

(a) the positive terminal of the battery is connected to n-side and the depletion region becomes thin

(b) the positive terminal of the battery is connected to n-side and the depletion region becomes thick

(c) the positive terminal of the battery is connected to p-side and the depletion region becomes thin

(d) the positive terminal of the battery is connected to p-side and the depletion region becomes thick

p-n संधि के अग्र अभिनत में 

(a) बैटरी के धनात्मक टर्मिनल को n-सिरे से जोड़ा जाता है और अवक्षय क्षेत्र पतला हो जाता है

(b) बैटरी के धनात्मक टर्मिनल को n-सिरे से जोड़ा जाता है और अवक्षय क्षेत्र मोटा हो जाता है

(c) बैटरी के धनात्मक टर्मिनल को p-सिरे से जोड़ा जाता है और अवक्षय क्षेत्र पतला हो जाता है

(d) बैटरी के धनात्मक टर्मिनल को p-सिरे से जोड़ा जाता है और अवक्षय क्षेत्र मोटा हो जाता है

The given graph represents V-I characteristic for a semiconductor device. Which of the following statement is correct?


(a) It is V-I characteristic for solar cell where point A represents open circuit voltage and point B short circuit current

(b) It is for a solar cell and points A and B represent open circuit voltage and current, respectively

(c) It is for a photodiode and points A and B represent open circuit voltage and current, respectively

(d) It is for a LED and points A and B represents open circuit voltage and short circuit current respectively

दिया गया ग्राफ अर्धचालक उपकरण के लिए V-I अभिलक्षणिक को दर्शाता है। निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?


(a) यह सौर सेल के लिए V-I अभिलक्षणिक है, जहां बिंदु A विवृत परिपथ वोल्टता और बिंदु B लघु परिपथ धारा को दर्शाता है। 

(b) यह सौर सेल के लिए V-I अभिलक्षणिक है और बिंदु A और B क्रमशः विवृत परिपथ वोल्टता और विवृत परिपथ धारा को दर्शाते हैं। 

(c) यह फोटोडायोड के लिए V-I अभिलक्षणिक है और A और B क्रमशः विवृत परिपथ वोल्टता और विवृत परिपथ धारा को दर्शाते हैं। 

(d) यह LED के लिए V-I अभिलक्षणिक है और A और B क्रमशः विवृत परिपथ वोल्टता और लघु परिपथ धारा को दर्शाते है। 

Transfer characteristic [output voltage $\left(V_0\right)$ vs input voltage $\left(V_i\right)$] for a base biased transistor in CE configuration is as shown in the figure.For using transistor as a switch, it is used 

(a) in region III

(b) both in region (I) and (III)

(c) in region II

(d) in region I

उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में आधार बायस ट्रांजिस्टर के लिए स्थानांतरण अभिलक्षण [निर्गत वोल्टता $\left(V_0\right)$ बनाम निवेशी वोल्टता $\left(V_i\right)$] आरेख में दर्शाए गए अनुसार है। ट्रांजिस्टर का उपयोग स्विच के रूप में करने के लिए, यह उपयोग किया जाता है -

(a) क्षेत्र III में

(b) (I) और (III) दोनों क्षेत्र में 

(c) क्षेत्र II में

(d) क्षेत्र I में

The PN junction diode is used as

(a) An amplifier                       (b) A rectifier
(c) An oscillator                       (d) A modulator

PN संधि डायोड का उपयोग किसके रूप में किया जाता है?

(a) प्रवर्धक                       (b) दिष्टकारी
(c) दोलित्र                        (d) मॉडुलक

The figure shows a logic circuit with two inputs A and B and the output C.The voltage wave forms across A, B and C are as given.The logic circuit gate is 

1. OR gate                                          2. NOR gate

3. AND gate                                        4. NAND gate

आकृति दो निवेशी A और B और निर्गत C का एक लॉजिक परिपथ दर्शाता है। A, B और C के सिरों पर निर्मित वोल्टता तरंग रूप निम्नानुसार दिए गए हैं। लॉजिक परिपथ है:

1. OR गेट                                         2. NOR गेट 

3. AND गेट                                       4. NAND गेट 

Pure Si at 500 K has equal number of electron $\left(n_{\mathit{e}}\right)$ and hole $\left(n_{\mathit{h}}\right)$ concentrations of $1.5\times {10}^{16}{\mathrm{m}}^{-3}.$ Doping by indium increases $n_{\mathit{h}}$ to $4.5\times {10}^{22} {\mathrm{m}}^{-3}.$ The doped semiconductor is of 

(a) n-type with electron concentration $n_{\mathit{e}}=5\times {10}^{22} {\mathrm{m}}^{-3}$

(b) p-type with electron concentration $n_{\mathit{e}}=2.5\times {10}^{23} {\mathrm{m}}^{-3}$

(c) n-type with electron concentration $n_e=2.5\times {10}^{10} {\mathrm{m}}^{-3}$

(d) p-type with electron concentration $n_e=5\times {10}^9 {\mathrm{m}}^{-3}$

500 K पर शुद्ध Si में इलेक्ट्रॉन $\left(n_{\mathit{e}}\right)$ और कोटरों $\left(n_{\mathit{h}}\right)$ की संख्या $1.5\times {10}^{16}{\mathrm{m}}^{-3}$ के बराबर है। इंडियम द्वारा अपमिश्रण कोटरों $\left(n_{\mathit{h}}\right)$ की संख्या को $4.5\times {10}^{22} {\mathrm{m}}^{-3}$ तक बढ़ा देता है। अपमिश्रित अर्धचालक किस प्रकार का अर्धचालक है?

(a) इलेक्ट्रॉन सांद्रता $n_{\mathit{e}}=5\times {10}^{22} {\mathrm{m}}^{-3}$ के साथ n-प्रकार का अर्धचालक 

(b) इलेक्ट्रॉन सांद्रता $n_{\mathit{e}}=2.5\times {10}^{23} {\mathrm{m}}^{-3}$ के साथ p-प्रकार का अर्धचालक 

(c) इलेक्ट्रॉन सांद्रता $n_e=2.5\times {10}^{10} {\mathrm{m}}^{-3}$ के साथ n-प्रकार का अर्धचालक 

(d) इलेक्ट्रॉन सांद्रता $n_e=5\times {10}^9 {\mathrm{m}}^{-3}$ के साथ p-प्रकार का अर्धचालक 

A Zener diode, having breakdown voltage equal to 15 V, is used in a voltage regulator circuit shown in the figure. The current through the diode is :

1. 10 mA                                                    2. 15 mA

3. 20 mA                                                     4. 5 mA

एक ज़ेनर डायोड, जिसकी भंजक वोल्टता 15V के बराबर है, का उपयोग आरेख में दर्शाए गए वोल्टता नियंत्रक परिपथ में किया जाता है। डायोड के माध्यम में धारा ज्ञात कीजिए:

1. 10 mA          2. 15 mA

3. 20 mA           4. 5 mA

For transistor action

(1) Base, emitter and collector regions should have similar size and doping concentrations.

(2) The base regions must be very thin and lightly doped.

(3) The emitter-base junction is forward biased and the base-collector junction is reverse biased.

(4) Both the emitter-base junction as well as the base-collector junction are forward biased.

Which of the following pairs of statements is correct?

(a)   (4) and (1)                                       (b)   (1) and (2)

(c)   (2) and (3)                                       (d)    (3) and (4)

ट्रांजिस्टर की क्रिया के लिए -

(1) आधार, उत्सर्जक और संग्राहक क्षेत्रों का आकार और अपमिश्रण सांद्रता समान होनी चाहिए।

(2) आधार क्षेत्र बहुत पतला और कम अपमिश्रित होना चाहिए।

(3) उत्सर्जक-आधार संधि अग्र अभिनत है और आधार-संग्राहक संधि पश्च अभिनत है।

(4) उत्सर्जक-आधार संधि और आधार-संग्राहक संधि दोनों ही अग्र अभिनत हैं।

निम्नलिखित में से कौन सा कथन युग्म सही है?

(a) (4) और (1)                                       (b) (1) और (2)

(c) (2) और (3)                                       (d) (3) और (4)

Two PN-junctions can be connected in series by three different methods as shown in the figure. If the potential difference in the junctions is the same, then the correct connections will be 

1. In the circuit (1) and (2)                   

2.  In the circuit (2) and (3)

3. In the circuit (1) and (3)                   

4. Only in the circuit (1)

दो PN-संधियों को आरेख में दर्शाए गए अनुसार तीन अलग-अलग विधियों से जोड़ा जा सकता है। यदि संधियों में विभवांतर समान है, तब सही संयोजन होगा-

1. परिपथ (1) और (2) में                    

2. परिपथ (2) और (3) में 

3. परिपथ (1) और (3) में                   

4. केवल परिपथ (1) में 

The approximate ratio of resistances in the forward and reverse bias of the PN-junction diode is:

(a) ${10}^2:1$                     (b) ${10}^{-2}:1$
(c) $1:{10}^{-4}$                   (d) $1:{10}^4$ 

अग्र अभिनत और पश्च अभिनत में PN-संधि डायोड के प्रतिरोधों का सन्निकट अनुपात ज्ञात कीजिए।

(a) ${10}^2:1$                         (b) ${10}^{-2}:1$
(c) $1:{10}^{-4}$                       (d) $1:{10}^4$