$\mathrm{In} \mathrm{the} \mathrm{given} \mathrm{circuit} \mathrm{power}$
$\mathrm{developed} \mathrm{in} 1\mathrm{k\Omega } \mathrm{resistor} \mathrm{is}$

     

1.  36 mW

2.  12 mW

3.  144 mW

4.  64 mW

 

दिए गए परिपथ में $1 \mathrm{k\Omega }$ प्रतिरोधक में उत्पन्न शक्ति है:

     

1. 36 mW

2. 12 mW

3. 144 mW

4. 64 mW

 

The diode shown in the circuit is a silicon diode. The potential difference between the points A and B will be

(a) 6 V

(b) 0.6 V

(c) 0.7 V

(d) 0 V

परिपथ में दर्शाया गया डायोड एक सिलिकॉन डायोड है। बिंदु A और B के मध्य विभवांतर कितना होगा?

(a) 6 V

(b) 0.6 V

(c) 0.7 V

(d) 0 V

In a common base amplifier the phase difference between the input signal voltage and the output voltage is

(a) 0                      (b) $\mathrm{\pi }/4$

(c)$\mathrm{\pi }/2$                   (d) $\mathrm{\pi }$

उभयनिष्ठ आधार प्रवर्धक में निवेशी सिग्नल वोल्टेज और निर्गत वोल्टेज के मध्य कलांतर की गणना कीजिए:

(a) 0                  (b) $\mathrm{\pi }/4$

(c) $\mathrm{\pi }/2$              (d) $\mathrm{\pi }$

The transfer ratio of a transistor is 50. The input resistance of the transistor when used in the common-emitter configuration is 1 K$\mathrm{\Omega }$. The peak value for an A.C input voltage of 0.01 V peak is 
(a) 100 $\mathrm{\mu }$A                        (b) 0.01 mA
(c) 0.25 mA                       (d) 500 $\mathrm{\mu }$A

ट्रांजिस्टर का परिणमन अनुपात 50 है। उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में उपयोग किए जाने पर ट्रांजिस्टर का निवेशी प्रतिरोध 1K$\mathrm{\Omega }$ है। 0.01 V के अधिकतम मान की प्रत्यावर्ती निवेशी वोल्टता के लिए प्रत्यावर्ती संग्राहक धारा का अधिकतम मान ज्ञात कीजिए।
(a) 100 $\mu$A                        (b) 0.01 mA
(c) 0.25 mA                       (d) 500 $\mu$A

In the following circuit, find ${\mathrm{I}}_1$ and ${\mathrm{I}}_2$.

(a) 0, 0
(b) 5 mA, 5 mA
(c) 5 mA, 0
(d) 0, 5 mA

निम्नलिखित परिपथ में, ${\mathrm{I}}_1$ और ${\mathrm{I}}_2$ ज्ञात कीजिए:

(a) 0, 0
(b) 5 mA, 5 mA
(c) 5 mA, 0
(d) 0.5 mA

The cut-in voltage for silicon diode is approximately

(a) 0.2 V                       (b) 0.6 V
(c) 1.1 V                       (d) 1.4 V

सिलिकॉन डायोड के लिए भंजक वोल्टता लगभग है:

(a) 0.2 V             (b) 0.6 V
(c) 1.1 V             (d) 1.4 V

The curve between charge density and distance near P-N junction will be

1. 

2. 

3. 

4. 

P-N संधि के निकट आवेश घनत्व और दूरी के बीच का वक्र कौन-सा होगा?

1. 

2. 

3. 

4. 

The valency of the impurity atom that is to be added to germanium crystal so as to make it an N-type semiconductor, is

(1) 6

(2) 5

(3) 4

(4) 3

अपमिश्रित परमाणु की संयोजकता ज्ञात कीजिए, जिसे जर्मेनियम क्रिस्टल में मिलाने पर इसे N-प्रकार अर्धचालक बनाया जा सकता है।

(1) 6

(2) 5

(3) 4

(4) 3

The valence of an impurity added to germanium crystal in order to convert it into a P-type semiconductor is

(1) 6

(2) 5

(3) 4

(4) 3

जर्मेनियम क्रिस्टल को p-प्रकार अर्धचालक में परिवर्तित करने के लिए कितनी संयोजकता के अपद्रव्य को मिलाया जाता है?

(1) 6

(2) 5

(3) 4

(4) 3

The symbol given in figure represents 

(a) NPN transistor
(b) PNP transistor
(c) Forward biased PN junction diode
(d) Reverse biased NP junction diode

आरेख में दर्शाया गया प्रतीक किसको दर्शाता है?

(a) NPN ट्रांजिस्टर
(b) PNP ट्रांजिस्टर
(c) अग्र अभिनत PN संधि डायोड
(d) उत्क्रम अभिनत NP संधि डायोड