Current in the circuit will be 


(a) 540A
(b) 550A
(c) 510A
(d) 520A

परिपथ में धारा होगी:


(a) 540A
(b) 550A
(c) 510A
(d) 520A

 65%
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Intrinsic semiconductor is electrically neutral. Extrinsic semiconductor having large number of current carriers would be 

(a) Positively charged

(b) Negatively charged

(c) Positively charged or negatively charged depending upon the type of impurity that has been added

(d) Electrically neutral

नैज अर्धचालक विद्युत उदासीन है। अपद्रव्यी अर्धचालक में बड़ी संख्या में धारा वाहक होगे

(a) धनात्मक आवेशित

(b) ऋणात्मक आवेशित

(c) मिलाए गए अपद्रव्य के आधार पर धनात्मक आवेशित या ऋणात्मक आवेशित

(d) विद्युत उदासीन

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A P-type semiconductor can be obtained by adding

(1) Arsenic to pure silicon

(2) Gallium to pure silicon

(3) Antimony to pure germanium

(4) Phosphorous to pure germanium

किसको मिलाकर P-प्रकार का अर्धचालक प्राप्त किया जा सकता है?

(a) शुद्ध सिलिकॉन में आर्सेनिक को

(b) शुद्ध सिलिकॉन में गैलियम को 

(c) शुद्ध जर्मेनियम में ऐन्टिमनी को 

(d) शुद्ध जर्मेनियम में फॉस्फोरस को 

 54%
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In a good conductor, the energy gap between the conduction band and the valence band is

(1) Infinite

(2) Wide

(3) Narrow

(4) Zero

चालक में चालन बैंड और संयोजकता बैंड के बीच ऊर्जा अंतराल ज्ञात कीजिए:

(1) अनंत

(2) चौड़ा

(3) संकीर्ण

(4) शून्य

 59%
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A piece of copper and the other of germanium are cooled from the room temperature to 80 K, then which of the following would be a correct statement

(1) Resistance of each increases

(2) Resistance of each decreases

(3) Resistance of copper increases while that of germanium decreases

(4) Resistance of copper decreases while that of germanium increases

तांबे के एक टुकड़े और जर्मेनियम के टुकड़े को कमरे के तापमान से 80K तक ठंडा किया जाता है, तब निम्नलिखित में से कौन-सा कथन सही होगा?

(1) प्रत्येक का प्रतिरोध बढ़ता है।                                  

(2) प्रत्येक का प्रतिरोध घटता है। 

(3) कॉपर का प्रतिरोध बढ़ता है जबकि जर्मेनियम का घटता है। 

(4) कॉपर का प्रतिरोध घटता है जबकि जर्मेनियम का बढ़ता है। 

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The impurity atom added to germanium to make it an N-type semiconductor is 

(1) Arsenic

(2) Iridium

(3) Aluminium

(4) Iodine

जर्मेनियम को N-प्रकार का अर्धचालक बनाने के लिए मिलाया जाने वाला अपद्रव्य परमाणु कौन-सा है?

(1) आर्सेनिक

(2) इरीडियम

(3) ऐलुमिनियम

(4) आयोडीन

 60%
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Symbol 

(1) NAND gate

(2) NOR gate

(3) NOT gate

(4) XNOR gate

 

प्रतीक:

(1) NAND गेट

(2) NOR गेट

(3) NOT गेट

(4) XNOR गेट

 

 

 50%
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In a PNP transistor working as a common-base amplifier, current gain is 0.96 and emitter current is 7.2 mA. The base current is 

(a) 0.4 mA                    (b) 0.2 mA
(c) 0.29 mA                   (d) 0.35 mA

उभयनिष्ठ-उत्सर्जक प्रवर्धक के रूप में कार्य करने वाले PNP ट्रांजिस्टर में, धारा लाभ 0.96 है और उत्सर्जक धारा 7.2 mA है। आधार धारा ज्ञात कीजिए:

(a) 0.4 mA               (b) 0.2 mA
(c) 0.29 mA             (d) 0.35 mA

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If a full wave rectifier circuit is operating from 50 Hz mains, the fundamental frequency in the ripple will be

(a) 50 Hz                           (b) 70.7 Hz
(c) 100 Hz                         (d) 25 Hz

यदि पूर्ण तरंग दिष्टकारी परिपथ 50Hz से संचालित हो रहा है, तब उर्मिका में मूल आवृत्ति कितनी होगी?

(a) 50 Hz                           (b) 70.7 Hz
(c) 100 Hz                         (d) 25 Hz

 54%
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The forbidden gap in the energy bands of germanium at room temperature is about 
(a) 1.1 eV                           (b) 0.1 eV
(c) 0.67 eV                         (d) 6.7 eV 

कमरे के तापमान पर जर्मेनियम के ऊर्जा बैंड में वर्जित अंतराल ज्ञात कीजिए:
(a) 1.1 eV                           (b) 0.1 eV
(c) 0.67 eV                         (d) 6.7 eV 

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